收藏本站
型号 SI4646DY-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4646DY-T1-E3 PDF
代理商 SI4646DY-T1-E3
标准包装 2,500
系列 SkyFET®, TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11.5 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1790pF @ 15V
功率 - 最大 6.25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4646DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4650DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4650DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4650DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4654DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4654DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4654DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4654DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4660DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SI4668DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
SI4670DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC